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- 苏州工业园区唯新路83号
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本设备利用反射干涉的原理进行无损测量，测量吸收或者透明衬底上薄膜的厚度以及折射率，同时提供样品反射率，测量精度达到埃级的分辨率，测量迅速，操作简单，界面友好，测量时间不到 1 秒。可应用于光阻、半导体材料、高分子材料等薄膜层的厚度测量，在半导体、太阳能、液晶面板和光学行业以及科研院所和高校都得到了广泛的应用和极大的好评。
产品详情
反射膜厚仪 HSR-C 技术参数
1、HSR-C 规格：
1) 基本功能：获取薄膜厚度值以及 R、N/K 等光谱
2) 光谱分析范围：380nm-1000nm
3) 测量光斑大小：标准 1.5mm，较小 0.5mm
4) 膜厚重复性测量精度：0.02nm（100nm 硅基 SiO2 样件，100 次重复测量）
5) 膜厚精度：0.2%或 2nm 之间较大者
6) 膜厚测量范围：15nm-70μm
7) 测量 n 和 k 值厚度要求：100nm 以上
8) 单点测量时间：≤ 1s
9) 光源：标准卤灯光源
10) 分析软件：多达数百种的光学材料常数数据库，并支持用户自定义光学材料库；提供多层各向同性光学薄膜建模仿真与分析功能
2、样品台规格：
1) 基板尺寸：更大支持样件尺寸到 150*150mm(可升级定制不同尺寸样品台)
3、测控与分析软件
1) 光谱测量能力：反射率光谱测量
2) 数据分析能力：膜厚分析能力，光学常数（折射率和消光系数）
3) 支持常用光学常数模型以及常用振子模型（柯西模型、洛伦兹模型、高斯模型等）；
4) 支持用户自定义，可授权离线分析软件模拟实际测量，支持 Windows 10 操作系统
4、设备验收标准（按参数规格测试）
1) 光谱分析波段：380~1000nm
2) 测量光斑大小：标准 1.5mm，较小 0.5mm
3) 膜厚重复性测量精度：0.02nm（100nm 硅基 SiO2 样件，100 次重复测量）
4) 膜厚精度：0.2%或 2nm 之间较大者
5) 膜厚测量范围：15nm-70μm
5、测控与分析计算机
1) 操作系统：WIN10 64 位
2) CPU 处理器：Intel 酷睿 I5
3) 内存：≥4G
4) 硬盘：≥500G
5) 显示器：≥19 寸
6、配件
1) 标准 SiO2/Si 标样
2) 标准安装工具一套
7、环境要求
1) 承载台：尺寸>1.0m（长）×0.7m（宽），承载能力大于 20Kg
2) 使用温度范围：20 ~ 26 ℃
3) 相对湿度：35% ~ 60% RH
4) 空气压力范围：750~1014 mbar
5) 洁净度： Class 1000
8、能源要求
1) 供电电源电压：220V AC
2) 正常频率范围：49-51Hz
3) 相电流：有效值小于 0.5A（220V AC）
4) 功率：小于 110 W
9、涂装与表面处理
1) 涂装颜色：以黑白灰色为主
2) 表面处理：镀化学镍、阳极处理、烤漆等
